FDN338P

Производитель: onsemi

Класс: Транзисторы

Под заказ

MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Параметры
Rds On (Max) @ Id, Vgs115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Gate Charge (Qg) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.6A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds451pF @ 10V
FET PolarityP-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Power - Max460mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case3-SSOT, SuperSOT-3

Даташит

Искать похожие в подборе по параметрам

Похожие позиции

FDN338

RU · EN · DE · ZH

Найти на складе