Hersteller: Texas Instruments
Kategorie: Transistor
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MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
| Ток стока | 113 |
|---|---|
| Мощность, Вт | 3.1 |
| Монтаж | SMD |
| Тип корпуса | 8-SON |
| Тип | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Напряжение, В | 25 |
| Особенность затвора | Standard |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 8.9nC @ 12.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
| Сопротивление открытого канала | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.9nC @ 12.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 113A |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
| FET Polarity | N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Power - Max | 3.1W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SON |
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